Lehrinhalte
Teil 1 Passive Mikrowellenkomponenten:
* Berechnung der Zwei-Port-Parameter einfacher passiver Komponenten und Schaltkreise (Leitungen und konzentrierte Elemente) für MMICs
* Wellenparameter und S-Parameter
* Smith-Diagramm und Anpassung mit Leitungen oder konzentrierten Elementen
* Design und Ersatzschaltbilder passiver Mikrowellenkomponenten (Übertragungsleitungen, Kondensatoren, Induktivitäten und Widerstände)
Teil 2 Aktive Mikrowellenkomponenten:
* Design und Ersatzschaltbilder von Feldeffekttransistoren (FET) und Heterostrukturtransistoren (HEMTs)
* Gewinn und Grenzfrequenzen
* Schottky-Kontakte: Funktion und Eigenschaften
Teil 3 Aktive Mikrowellenschaltungen (Hauptteil):
* FET-Verstärker: Betrieb, Ersatzschaltung, Gewinn, Anpassung, Stabilität und Schaltungsimplementierung
* Oszillatoren
* Mischer/Vervielfacher-Schaltungen
* Materialauswahl (Verbundhalbleitermaterialsysteme: Eigenschaften, Herstellung und Anforderungen)
Die Anwendungsmöglichkeiten für solche Schaltungen reichen von Kommunikationssystemen wie Mobiltelefonen bis hin zu Satellitensendern sowie Hochfrequenzquellen bis zu Terahertz.
Literatur
Skript und Folien. Literatur wird in der Vorlesung empfohlen.
Voraussetzungen
Wünschenswert: Grundlagen der Elektrodynamik, Hochfrequenztechnik I
Zusätzliche Informationen
Die Anforderungen an die Abschlussprüfung sowie eine Testklausur finden Sie unter Moodle.
Online-Angebote
moodle
Teil 1 Passive Mikrowellenkomponenten:
* Berechnung der Zwei-Port-Parameter einfacher passiver Komponenten und Schaltkreise (Leitungen und konzentrierte Elemente) für MMICs
* Wellenparameter und S-Parameter
* Smith-Diagramm und Anpassung mit Leitungen oder konzentrierten Elementen
* Design und Ersatzschaltbilder passiver Mikrowellenkomponenten (Übertragungsleitungen, Kondensatoren, Induktivitäten und Widerstände)
Teil 2 Aktive Mikrowellenkomponenten:
* Design und Ersatzschaltbilder von Feldeffekttransistoren (FET) und Heterostrukturtransistoren (HEMTs)
* Gewinn und Grenzfrequenzen
* Schottky-Kontakte: Funktion und Eigenschaften
Teil 3 Aktive Mikrowellenschaltungen (Hauptteil):
* FET-Verstärker: Betrieb, Ersatzschaltung, Gewinn, Anpassung, Stabilität und Schaltungsimplementierung
* Oszillatoren
* Mischer/Vervielfacher-Schaltungen
* Materialauswahl (Verbundhalbleitermaterialsysteme: Eigenschaften, Herstellung und Anforderungen)
Die Anwendungsmöglichkeiten für solche Schaltungen reichen von Kommunikationssystemen wie Mobiltelefonen bis hin zu Satellitensendern sowie Hochfrequenzquellen bis zu Terahertz.
Literatur
Skript und Folien. Literatur wird in der Vorlesung empfohlen.
Voraussetzungen
Wünschenswert: Grundlagen der Elektrodynamik, Hochfrequenztechnik I
Zusätzliche Informationen
Die Anforderungen an die Abschlussprüfung sowie eine Testklausur finden Sie unter Moodle.
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- Lehrende: Oktay Yilmazoglu
Semester: WiSe 2022/23