Lehrinhalte
Reales Verhalten von Leistungshalbleitern:
Halbleitergrundlagen; Verhalten von Diode, bipolarer Transistor, Thyristor, GTO, MOSFET und IGBT
Schaltungen zum verlustarmen Schalten realer Halbleiter:
Löschschaltungen für Thyristoren, Entlastungsschaltungen und quasi-resonanten Schaltungen, Resonantes Schalten
Thermische Auslegung und thermomechanische Alterung von leistungselektronischen Systemen
Zuverlässigkeit von leistungselektronischen Systemen
Topologien und Ansteuerverfahren für Mehrpunktumrichter

Literatur
Skript verfügbar (als Download in Moodle)
Literatur:
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[*]Schröder, D.: “Leistungselektronische Schaltungen”, Springer-Verlag, 1997
[*]Mohan, Undeland, Robbins: Power Electronics: Converters, Applications and Design; John Wiley Verlag; New York; 2003
[*]Luo, Ye: “Power Electronics, Advanced Conversion Technologies”, Taylor and Francis, 2010
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Voraussetzungen
BSc ETiT oder Gleichwertiges insbes. Leistungselektronik 1 und Halbleitergrundlagen

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Semester: WiSe 2024/25